3nm弯道超车台积电之后三星2nm工艺蓄势等发 3年后量产

发布时间：2022-07-11 19:30:21 所属栏目：产品来源：互联网

导读：在6月最后一天，三星宣布3nm工艺正式量产，这一次三星终于领先台积电率先量产新一代工艺，而且是弯道超车，后者的3nm今年下半年才会量产。根据三星官方介绍，在3nm芯片上，其放弃了之前的FinFET架构，采用了新的GAA晶体管架构，大幅改善了芯片的功耗表现

　　在6月最后一天，三星宣布3nm工艺正式量产，这一次三星终于领先台积电率先量产新一代工艺，而且是弯道超车，后者的3nm今年下半年才会量产。

　　根据三星官方介绍，在3nm芯片上，其放弃了之前的FinFET架构，采用了新的GAA晶体管架构，大幅改善了芯片的功耗表现。
3nm弯道超车台积电之后三星2nm工艺蓄势等发 3年后量产

　　再往后呢？三星也有了计划，3nm GAP工艺之后就会迎来2nm GAP工艺，也是基于纳米片技术的GAA晶体管，但是结构进一步优化，从3个纳米片提升到4个，可以提高驱动电流，同时还会优化堆叠结构以提升性能，降低功耗。

　　2nm GAP工艺的量产时间也定了，预计在2025年量产，时间点跟台积电量产2nm工艺差不多，而且很可能在技术上领先后者，因为台积电的2nm工艺在晶体管密度上挤牙膏，提升只有10%。

（编辑：宿迁站长网）

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3nm弯道超车台积电之后 三星2nm工艺蓄势等发 3年后量产

3nm弯道超车台积电之后三星2nm工艺蓄势等发 3年后量产