公司ArF光刻胶产品已经过存储芯片逻辑芯片制造企业验证

发布时间：2022-04-15 19:53:20 所属栏目：动态来源：互联网

导读：南大光电在接受机构调研时表示，公司研发的 ArF 光刻胶主要定位于 90nm-28nm 集成电路的制程应用，公司 ArF 光刻胶产品分别通过一家存储芯片制造企业和一家逻辑芯片制造企业的验证，目前多款产品正在多家客户同时进行认证。南大光电称，通过验证的一家客

南大光电在接受机构调研时表示，公司研发的 ArF 光刻胶主要定位于 90nm-28nm 集成电路的制程应用，公司 ArF 光刻胶产品分别通过一家存储芯片制造企业和一家逻辑芯片制造企业的验证，目前多款产品正在多家客户同时进行认证。

南大光电称，通过验证的一家客户从去年 8 月份以来，一直正常购买公司光刻胶产品。因为是客制化产品，暂未形成规模销售。ArF 光刻胶根据客户订单情况进行生产销售，目前项目延期至 2022 年底，公司将通过统筹协调全力推进，力争早日完成该项目建设。

公司 ArF 光刻胶产品第一步是要完成替代进口，进口替代任务完成后，再进行品质提升。目前公司 ArF 光刻胶是从核心原材料开始进行研发，彻底解决卡脖子问题。

在其他产品方面，目前，南大光电 MO 源的国内市场占有率约 40%，是国内 MO 源产品品类最齐全的公司之一；砷烷现有产能 30 吨，计划扩建 70 吨；磷烷现有产能 70 吨，计划扩建 70 吨；乌兰察布三氟化氮生产基地建设按计划正常推进，计划建设产能 7200 吨，已完成 1800 吨产能建设，目前公司各产品处于满产满销状态。

从各类产品市场占有率来看，MO 源国内约 40%；前驱体国内约 8%；氢类电子特气国内约 60%；三氟化氮国内市占率约为 35%，国外市占率约为 10%；六氟化硫主要在国内销售，市占率约为 20%。

南大光电表示，公司努力实施 MO 源 2.0 计划，通过技术创新不断优化产品和客户结构，先进前驱体材料如 28nm 和 14nm 制程前驱体、硅前驱体等产品研发和产业化取得重要突破；氢类电子特气在技术、品质、产能和销售各方面已跃居世界前列；氟类电子特气方面公司加快乌兰察布“试验田”建设，为建设“世界单项冠军”产品奠定坚实的基础。

（编辑：宿迁站长网）

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